NOR Flash 产品线丰富，工艺制程将由 65nm向 55nm推进 。兆易创新提 供从 512Kb 至 2Gb 的系列 NOR Flash 产品，涵盖 NOR Flash 市场的绝大 部分容量类型，电压涵盖 1.8V、2.5V、3.3V 以及宽电压产品 。2020 年，公司推出国内首款容量高达 2Gb、高性能的 GD25/GD55 B/T/X 系列产品，为 SPI NOR Flash 行业的最高水准，提供 256Mb 到 2Gb 的容量选择，支 持高速 4 通道以及兼容 JEDEC xSPI和 Xccela 规格的高速 8 通道，分别采 用 3.3V 和 1.8V 供电，具有多达 18 个主要型号的组合，并支持多种封装形 式 。该系列产品主要面向需要大容量存储、高可靠性与超高速数据吞吐量 的工业、车载、AI以及 5G 等相关应用领域 。目前公司 NOR Flash 产品工 艺处于行业内主流技术水平，工艺节点主要为 65nm，同时全面推出 55nm 工艺节点产品，整体 Flash 产品累计出货量已近 160 亿颗 。
2.4 自研 DRAM 产品放量在即，市场增量空间超 184 亿元
DRAM 是当前市场主流的半导体存储器，全球市场规模达 652 亿美元 。IC Insights 数据显示，2020 年全球 DRAM 市场规模为 652 亿美元，预计 2021 年将达 869 亿美元，占存储芯片市场 56%的份额 。
从供给端看，DRAM 行业高度集中，呈寡头垄断格局 。IC Insights 数据显 示，2018-2020 年期间，在 DRAM 市场中，三星、海力士和美光垄断了全 球约 95%的市场份额 。
全球 DRAM 产能持续偏紧，预计 21 年 DRAM 资本开支增加 33% 。自 2020 年底开始，DRAM 市场出现供货紧张以来，叠加全球多地区疫情反复 以及晶圆厂火灾影响，预期 2021 年下半年 DRAM 供应仍将吃紧，市场需 求热度将有望延续到 2022 年 。TrendForce 预计 21 年全球各厂商在 DRAM 领域资本开支将达 252.51 亿美元，同比增加 33% 。
三星、海力士、美光等龙头厂商加紧扩产 。
三星：预计 2021 年开始，三星西安二期二阶段、平泽 P2、P3 厂区都 将陆续投入量产，将使得 2021 上半年三星 DRAM 月产能增加 10%，根据中国闪存市场数据，三星 DRAM 每月产能约 500K，增产 50K 之 后，三星 DRAM 月产能将达 550K 。
海力士：2021 年 4 月，韩国政府批准 SK 海力士新厂区的兴建计划，整个项目总投资额将达到 1060 亿美元，面积约为 4.15 万平方米，计 划新厂区在 21Q4 破土动工，于 2025 年完成所有工程项目，并开始进 行批量生产 。整个厂区将由四个晶圆厂组成，每个月的晶圆产量约为80 万片 。这些晶圆厂将负责生产常规的 DRAM 芯片，以及采用下一代 DRAM 技术的芯片 。
美光：2020 下半年美光 A3 新厂完成清洁室的建设，预计 2021 上半 年完成整体建设，下半年将开始投入量产 1αnm(1-alpha)制程 DRAM 。此外，2021 年 5 月，美光表示继 A3 工厂投产后，也有意建造另一座 A5 工厂，持续扩大 DRAM 产能 。
从需求端看，DRAM 行业是下游需求驱动型行业，利基型市场规模占比为 8% 。DRAM 按下游需求可分为标准型（PC 端）DRAM、服务器 DRAM、 移动端 DRAM、图形 DRAM 和利基型 DRAM 等 。其中，利基型 DRAM 主 要应用在液晶电视、数字机顶盒、播放机、智能手机、智能手表等消费型 电子与网络通讯等相关产品上，多数是从主流规格退役的 DRAM 产品，包 括 512Mb DDR 和 1Gb DDR2 等 。与标准型 DRAM 相比，利基型 DRAM 市场范围小，多采用较为成熟的制程 。TrendForce 数据显示，2020 年，移动端占 DRAM 需求应用的 39.6%、服务器占 33.9%、PC 占 13.1%、利 基型占 7.9%、图形技术占 5.5% 。
多重因素推动利基型 DRAM 需求持续旺盛 。我们认为，推动当前利基 型 DRAM 市场需求旺盛的因素主要在于以下三点：
第一，“宅经济”拓宽传统利基型 DRAM 产品范围 。2021 上半年“宅经 济”需求强劲，带动数字电视、机顶盒及网通产品需求回升，特别是智 能电网、智能 LED 照明、三网融合、移动支付、机顶盒 IP STB 等将进一 步拓展利基型 DRAM 的应用范围 。

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