深析两者区别及应用随机存储器和只读存储器区别( 三 )

1.3 核心优势三：Fabless 模式更为灵活，在行业激烈竞争下优势明显
Fabless 与 IDM 各有优势
IDM 模式集芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试等多个产业链环节于一身，是早期多数集成电路企业采用的模式，如三星、德州仪器等。其优势在于设计、制造等环节协同优化，有助于充分发掘技术潜力，能有条件率先实验并推行新的半导体技术（如 FinFet）；缺点则是公司规模庞大，管理成本较高，运营费用较高，资本回报率偏低，市场灵活性差。
Fabless 模式只负责芯片的电路设计与销售；将生产、测试、封装等环节外包。优势在于资产较轻，初始投资规模小，创业难度相对较小；企业运行费用较低，转型相对灵活；缺点是与 IDM 相比无法与工艺协同优化，因此难以完成指标严苛的设计，且需要承担各种市场风险。
在市场需求旺盛、行业竞争激烈情况下，Fabless 更具灵活性。目前，在国际存储器龙头纷纷退出 NOR Flash 和 SLC NAND 中低端市场的背景下，从全球市场格局来看，在现有的市场缺口竞争中，兆易创新凭借 Fabless轻资产经营模式，市场占有率快速提升。而华邦电和旺宏均受制于 IDM 模式，一旦技术进步超过目前的生产工艺水平，新建生产线成本巨大，将导致竞争力下降，扩产量较小。因此，兆易创新的市场空间依然很大，可通过利用国内完整的半导体产业链，集中精力在芯片的设计和开发上，满足市场需求，降低总成本，在激烈的市场竞争中快速调整和发展。
二、DRAM 和 Flash 是存储技术争夺的主战场，兆易创新深度布局2.1 DRAM 与 Flash 是市场主流的半导体存储器
半导体存储器从易失性角度分为随机存储器 RAM 和只读存储器 ROM 两种。随机存储器 RAM 在断电后无法保存数据，主要用于存储短时间使用的程序。ROM 也被称为主存和只读内存，它只能读出事先所存数据，而不能像随机存储器那样能快速、方便的改写，但具有随时读写、速度快的特性，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。
目前市场主流的半导体存储器以 DRAM（动态随机存储）、NAND Flash 和 NOR Flash 。
DRAM 集成度高、价格便宜、功耗低、存取速度慢。DRAM 被称为动态随机存储，它通过不断地刷新电路来进行数据的保存，从存储能力来说，DRAM 所能提供的存储容量更大，访问时间较长，但由于不断刷新电路也导致其功耗较高，速度较慢，且每个芯片有 1 个晶体管和一个电容。
Flash 可分为 NOR Flash 和 NAND Flash 两大类：NAND 容量大、单位容量成本低，NOR 读取速度快、可靠性高、擦除速度快。NOR Flash 以编码应用为主，其功能多与运算相关，主要应用场景为各移动端/车机端的系统中，而 NAND Flash 主要功能是存储资料，多应用于嵌入式系统采用的 DOC 及闪盘。相对于 NAND Flash，NOR Flash 的优势在于其读取速度较快。
预计 2023 年全球存储芯片市场规模将达 2196 亿美元，DRAM 和 NAND Flash 合计占据超 95%的市场份额。受下游需求旺盛，全球存储芯片市场快速发展，IC Insights 预测到 2023 年全球存储器市场规模将达 2196 亿美元，同比增长 21.73%，2020-2025 年 GAGR 将达到 10.6％。从产品结构上看，DRAM 销售额在 2020 年约占整个存储市场的 53%，闪存的比重约为 45%，其中 NAND Flash 为 44%，NOR Flash 闪存为 1%，其他存储芯片（EEPROM、EPROM、ROM、SRAM）将会缓慢成长，但大幅抢占市场的可能性较小。
中国存储芯片市场规模超 3000 亿元，DRAM 和 Flash 合计占比达 98% 。Yoe 数据显示，2014-2019 年，中国存储芯片市场规模由 1274 亿元增长至 2697 亿元，年均复合增长率达到 16.18%，前瞻研究院估计，2020 年中国存储芯片市场规模突破将近 3000 亿元。从产品结构上看，智研咨询数据显示 2020 年中国存储市场中 DRAM 占比为 53%，NAND 占比为 42%，NOR 占比为 3%，DRAM 与 Flash 合计占比达 98% 。

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