深析两者区别及应用随机存储器和只读存储器区别( 八 )

第二，IOT、5G、AI 等技术的发展也将拉动利基型 DRAM 的需求。物联网的最终产品具有高混合小批量（HMLV）制造的特征，如智能音箱、智能家居、可穿戴设备等，由于具有计算能力和数据存储的要求，这些产品需要定制的中/低密度 DRAM 来支持上述功能，因此利基型 DRAM 将非常合适。随着国家大力扶持智能家居产业发展，作为智能家居的入口级产品，智能音响的渗透率仍有较大提升空间。可穿戴市场前景可观，IDC 预计 21 年全球可穿戴设备市场规模将达 5.78 亿美元，
2026 年市场规模将增加至 19.68 亿美元。从出货量来看，2019 年全球可穿戴设备出货量已达到 3.4 亿部，预计 2024 年将达 5.3 亿部。
5G 基站和 AI 提升利基型 DRAM 市场需求。小型 5G 基站可配备 4Gb DDR3 或 DDR4，而 AI 加速器可以配备 4Gb 或 8Gb LPDDR4，除此之外，5G CPE 可使用 2Gb 或 4Gb LPDDR4 / 4X 。5G 和 AI 的蓬勃发展将提升利基 DRAM 的市场需求，5G 基础的建设还将同时带动 WI-FI 路由器及调制解调器等网通产品需求的增加。
第三，汽车电子领域的新市场也将给利基型 DRAM 带来利好。DDR2 是汽车电子或工控等嵌入式系统市场的主流，电动车、智能导航、无人驾驶、车体感测等领域的发展将带动利基型 DRAM 的发展。
因此，我们认为受益于上 5G、AI、云运算、车用电子、物联网等新兴应用的快速发展，利基型 DRAM 市场需求有望保持持续增长态势。
从价格上看，市场供需错位导致 DRAM 价格不断上涨。目前 DRAM 下游需求旺盛，而各厂商产能扩张缓慢，导致市场供不应求，从而带动整体 DRAM 现货价格自 2020 年底快速上涨，到 2021 年 3 月上旬价格翻了一倍以上，虽然从现货价格看，近一个月以来 4G 产品价格开始回落，但 2G 产品价格依旧坚挺。
预计 2023 年利基型 DRAM 市场规模达 184.56 亿美元。当前利基型 DRAM 下游需求端旺盛，供给端由于三星、SK 海力士等存储大厂冲刺 CMOS 影像传感器 CIS 产能，陆续将 DRAM 工艺转换至 CIS 产能，带动利基型 DRAM 价格上涨。TrendForce 数据显示，21Q1 利基型 DRAM 价格上涨 10%-20%，且 21 年报价将逐季提升 5%-10% 。我们预计 21 年全年利基型 DRAM 价格有望上涨超 70%，但随着长鑫存储等其他厂商产能的填补，预计 22、23 年价格将有所回落。整体预计到 2023 年利基型 DRAM 市场规模可达 184.56 亿美元。
为打破国外厂商的垄断地位和技术封锁，中国 DRAM 厂商加速追赶。目前中国主要的 DRAM 制造厂商为福建晋华、合肥长鑫、紫光南京，其中紫光南京的量产环节仍主要在中国台湾力晶进行，故目前中国大陆自产的 DRAM 为福建晋华与合肥长鑫两大系列。合肥长鑫第一阶段做基于 19nm 平台的 8GB LPDDR4，应用方向为智能手机，预计 21 年将完成 17nm 研发，目前产能为 4 万片/月，21Q4 产能提升至 8.5 万片/月；福建晋华由于受到美国实体清单制裁，关键技术受到限制，致使 DRAM 研发停滞。虽然长江存储也在研发 DRAM 技术，但是量产可能需要较长的时间，因此长鑫存储成为中国 DRAM 产业短期内唯一的希望。
兆易创新积极布局利基型 DRAM 即将放量进入收获期。
2020 年 6 月，公司顺利完成非公开发行，募资 43.24 亿元，用于 DRAM 芯片自主研发及产业化项目。主要研发 1Xnm 级（19nm、 17nm）工艺制程下的 DRAM 技术，设计和开发 DDR3、LPDDR3、 DDR4、LPDDR4 系列 DRAM 芯片。
预计将于 2021 年上半年推出第一颗自研的 DRAM 产品，主要面向 IPC、TV 等消费类利基市场。目前行业内利基型 DRAM 主流工艺节点为 3Xnm-20nm，公司即将推出的 DRAM 工艺节点是 19nm，17nm 的也在研发推进中，公司产品具有较强的市场竞争力。

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