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在CES 2020大展上 ， 韩国DRAM和NAND闪存巨头SK海力士（SK Hynix）展示了最新的存储创新技术 。在他们的展台上 ， 最吸引人的莫过于“4D NAND”技术 ， 以及首批基于该技术的消费级产品 。
4D NAND作为一个概念最初于2018年8月上线 ， 自然它没有涉及到第四维度 。传统的3D NAND芯片主要使用电荷捕获型闪存堆栈 ， 该堆栈在空间上位于外围模块旁边 ， 该外围模块负责将所有这些CTF堆栈布线 。在4D NAND中 ， 外围块与CTF堆栈本身堆叠在一起 ， 从而在2-D平面上节约了空间 ， 以便用于增加密度 。
在CES 2020展台上 ， 外媒TechPowerUp发现了两款使用128层4D NAND的客户端细分硬盘–Platinum P31 M.2 NVMe和Gold P31 M.2 NVMe 。从技术角度上来说 ， Platinum P31和Gold P31是相同的 ， 只是容量（也包括耐用性）上存在差异 。
两者都采用PCI-Express 3.0 x4和NVMe 1.3驱动 ， 完全使用自家硬件构造 ， 当然主控、DRAM缓存和128层4D NAND闪存等均是由SK Hynix自己制造 。
Platinum P31仅具有2 TB的容量和1,500 TBW的耐用性； Gold P31的容量为500 GB和1 TB ， 分别为375 TBW和750 TBW 。两个驱动器均提供高达3500 MB / s的顺序读取和高达3200 MB / s的顺序写入 。
此外SK海力士还展示了最新一代的DDR5 RDIMM 。RDIMM专为下一代企业平台（例如英特尔“ Sapphire Rapids”）而设计 ， 频率为DDR5-4800 MHz ， 最高可以提供64 GB的密度 。
Sk海力士还提供了最新的LPDDR4X和原型LPDDR5存储解决方案 ， 旨在为下一代5G智能手机和超便携式计算机提供澎湃动力 。展台还现场演示了使用LPDDR4X解决方案和UFS 3.0存储的智能手机 ， 利用手机的前置摄像头并立即生成4个高质量的滤镜效果（这需要巨大的处理能力和存储带宽） 。
LPDDR4X已经将数据速率推向了4,667 MT / s DDR ， 而LPDDR5将会从5,500 MT/s起步 ， 并且会比LPDDR4X提供更低的功耗 。

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