魅族子品牌魅蓝推出65W氮化镓充电器，拆开给魅友们看看用料做工( 二 )

输入端延时保险丝来自东莞市贝特电子科技股份有限公司，出料号 932 3.15A 250V，具有慢熔断特性，能够承受充电器插电时电解电容的充电电流而不会熔断，规格3.15A 250V 。
共模电感采用双线绕制，绿色磁环。
X电容0.47μF，配合共模电感用于输入滤波。
输入的交流电经过滤波电路后，由整流桥转换为脉动直流电。整流桥使用两颗ABS20MH，半桥接法，均摊发热，降低温升。
整流后的直流电使用电解电容进行滤波，魅蓝65W充电器四颗高压滤波电解均为永铭KCX系列大容量、小体积高压滤波电解电容，两颗规格为33μF 400V 。
另外两颗规格为22μF 400V，合计初级滤波电解电容容量为110μF 。永铭KCX电解电容具有低漏电流、高纹波电流、低阻抗和抗雷击优势，满足氮化镓USB PD快充高功率密度的设计要求。
差模滤波电感特写，外套热缩管绝缘。
为主控芯片供电的滤波电容，规格为10μF 100V 。
垂直焊接的小板特写，上面焊接初级控制器和氮化镓开关管。
背面大面积露铜散热。
充电器主控芯片为ON安森美NCP1342，这是一颗高频初级PWM控制器，内置主动X2电容放电和多重完善的保护功能，具有超低的待机功耗。
高压开关MOS管采用英诺赛科INN650D02氮化镓功率芯片，额定耐压为650V，峰值耐压750V，导阻低至0.2Ω，符合JEDEC标准的工业应用要求，支持ESD保护，支持开尔文源极。最高工作温度150℃ 。
INN650D02 “InnoGaN”开关管高频特性好，且导通电阻小，适合高频高效的开关电源应用，采用DFN8*8封装，具备超低热阻，散热性能好，适合高功率密度的开关电源应用。
值得一提的是，INN650D02 “InnoGaN”开关管基于业界领先的8英寸生产加工工艺，是目前市面上最先量产的先进制程氮化镓功率器件，这项技术的大规模商用将推动氮化镓快充的快速普及。
充电头网拆解了解到，该氮化镓开关管还被SPRUCE 140W 3C1A无线充二合一充电座、安述240W氮化镓+碳化硅适配器、QCY 65W 2C1A氮化镓快充、联想小新100W双C口氮化镓快充、努比亚120W 2C1A三口氮化镓快充、红魔手机6 Pro标配120W PD氮化镓快充、REMAX 100W氮化镓充电器、摩米士100W 2A2C氮化镓快充、魅族65W氮化镓充电器等多款产品采用，芯片质量获得市场认可。
用于输出电压反馈的1007光耦。
变压器特写。
蓝色Y电容特写。
同步整流控制器来自杰华特，丝印JWEWJ，型号JW7726B，支持CCM、DCM、QR和ACF模式，在振铃期间能有效防止同步整流MOSFET的误开通；具有快速关断能力以便能兼容CCM；在启动过程中（VCC建立之前）能有效防止门极gate被耦合至开启电压，支持高侧和低侧同步整流应用，使用灵活。
杰华特JW7726B具有低静态电流，输出电压检测功能用于自动切换供电。当输出电压高于4.6V时，由输出电压供电，以降低稳压器上的损耗。当输出电压低于4.5V时，由开关引脚供电。JW7726B采用SOT23-6封装，外围器件精简。
充电器正面插件元件全部拆掉，左下角是一颗同步整流管。降压磁环电感底部有绝缘垫支撑。
支撑两路降压电感的绝缘垫特写，防止充电器跌落损坏。
同步整流管来自威兆半导体，型号为VSP008N10MS，NMOS，耐压100V，支持逻辑电压驱动，导阻6mΩ，采用PDFN5*6封装。
威兆VSP008N10MS资料信息。
充电头网拆解了解到，采用威兆VSP008N10MSC的还有米物甄妙65W 2C1A氮化镓充电器、华硕adol 65W氮化镓充电器、努比亚65W氘锋三口氮化镓快速充电器、联想65W PD快充火柴盒电源等产品，威兆MOS也获得华为、小米、三星、OPPO等众多知名品牌的认可。

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